پین 2 میلی متری InGaAs Photodiode TO5

BPD-2STO5B-FW یک پین 2 میلی متری InGaAs Photodiode TO5 است که برای تشخیص نور در باند طول موج 900 تا 1650 نانومتر مهندسی شده است. دارای یک منطقه فعال بزرگ 2 میلی متری برای جمع آوری نور پیشرفته، پاسخگویی بالا (نوع 0.95A/W در 1550 نانومتر)، جریان تاریک کم، و ظرفیت کم. فتودیود که در یک بسته قوطی فلزی TO5 محکم و مهر و موم شده با یک پنجره نوری تخت قرار دارد، عملکرد طولانی مدت قابل اعتمادی را در محدوده دمای صنعتی طولانی از -40 درجه سانتیگراد تا +85 درجه سانتیگراد ارائه می دهد. ایده آل برای قدرت سنج های نوری، تجهیزات تست فیبر نوری، سیستم های سنجش نوری و ابزارهای طیف سنجی NIR.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

نمای کلی محصول-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

فتودیود 2 میلی متری InGaAs PIN Photodiode TO5 (مدل: BPD-2STO5B-FW) از Box Optronics یک آشکارساز نوری نزدیک به مادون قرمز (NIR) با کارایی بالا است که برای اندازه گیری توان نوری، آزمایش و اندازه گیری فیبر نوری، سنجش نوری و کاربردهای طیف سنجی طراحی شده است. بر اساس ساختار PIN فوتودیود قابل اعتماد، سیگنال‌های نوری برخوردی را از 900 نانومتر به 1650 نانومتر به جریان نوری متناسب با خطی بودن عالی، پاسخ‌دهی بالا و عملکرد طولانی‌مدت پایدار تبدیل می‌کند.

منطقه تشخیص بزرگ آن را به ویژه برای تشخیص نوری در فضای آزاد، اندازه گیری پرتوهای همسو، و کاربردهایی که در آن جفت نوری کارآمد و تراز آسان مورد نیاز است، مناسب می کند.

طراحی فشرده TO5 امکان ادغام آسان با ابزارهای نوری و تجهیزات اندازه گیری فوتونیک را فراهم می کند.

ویژگی های کلیدی-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· قطر ناحیه فعال بزرگ: 2 میلی متر برای جمع آوری نور و تحمل تراز برتر

· محدوده پاسخ طیفی گسترده: 900 نانومتر تا 1650 نانومتر

· پاسخگویی بالا: 0.9A/W معمولی در 1310nm، 0.95A/W معمولی در 1550nm

· جریان تاریک کم برای تشخیص سیگنال ضعیف با حساسیت بالا

· خازن اتصال کم برای پاسخ سریع و پهنای باند وسیع

· قابلیت اطمینان بالا و پایداری طولانی مدت

· بسته فلزی پنجره تخت TO5 Hermetic

کاربردهای معمولی-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· توان سنج نوری و ماژول های نظارت بر توان نوری

· تجهیزات تست و اندازه گیری فیبر نوری

· سیستم‌های تشخیص سیگنال نوری و نظارت بر قدرت

· طیف‌سنجی و ابزارهای تحلیلی مادون قرمز نزدیک (NIR).

· سیستم‌های نظارت و کنترل توان لیزری

· سیستم‌های تشخیص نوری و حسگر نوری فضای آزاد

· کالیبراسیون و خصوصیات تضعیف کننده نوری

· تحقیقات فوتونیک و ابزارآلات آزمایشگاهی

مشخصات فنی-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

حداکثر مطلق درجه بندی (TC = 25 درجه سانتی گراد)

پارامتر	نماد	رتبه بندی	واحد
ولتاژ معکوس	VRmax	20	V
دمای کیس عملیاتی	TOP	-40 ~ +85	درجه سانتی گراد
دمای ذخیره سازی	TST	-55 ~ +120	درجه سانتی گراد

مشخصات الکترواپتیکال (TC = 25°C)

پارامتر	نماد	شرایط تست	حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
قطر منطقه فعال	φ	-	-	2	-	میلی متر
محدوده طیفی	λ	-	900	-	1650	نانومتر
پاسخگویی @ 1310nm	R	VR = 0V	0.85	0.9	-	A/W
پاسخگویی @ 1550nm	R	VR = 0V	-	0.95	-	A/W
ولتاژ معکوس عملیاتی	VR	-	-	-	-5	V
جریان تاریک	شناسه	VR = -5V	-	2	10	nA
ظرفیت	C	VR = -5V، f = 1MHz	-	160	230	pF
ظرفیت	C	VR = 0V، f = 1MHz	-	400	600	pF

چرا Box Optronics 2mm InGaAs PIN Photodiode را انتخاب کنید؟

· عملکرد و قابلیت اطمینان ثابت

· کنترل کیفیت دقیق

· قیمت رقابتی

· MOQ انعطاف‌پذیر — هم از مقادیر کوچک تحقیق و توسعه و هم سفارشات تولید حجمی پشتیبانی می‌کند

· حمل و نقل بین المللی از طریق DHL/UPS/FedEx با ردیابی کامل

ابعاد بسته و تعریف پین-2mm InGaAs پین Photodiode TO5

اطلاعات سفارش - 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

نامگذاری مدل

BPD - X X تا XX - X - X

مثال: BPD-2STO5B-FW

میدان	کد	توضیحات
سری محصولات	BPD	سری فتودیود جعبه
اندازه منطقه فعال	2S	2S = قطر 2mm (1S=1mm، 3S=3mm، 5S=5mm)
نوع بسته	TO5	بسته TO5 = TO5 (TO46=TO46)
نوع پین	B	B = نوع B pin-out
نوع پنجره	FW	FW = پنجره مسطح

سوالات متداول (سؤالات متداول) - 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

س: تفاوت بین فتودیودهای منطقه فعال 1 میلی متری و 2 میلی متری چیست؟

پاسخ: تمایز اصلی بین دو دستگاه اندازه مناطق فعال آنها است.

InGaAs PD 2 میلی متری دارای منطقه جمع آوری نور بزرگتر و تحمل تراز بهتر است، که آن را برای تشخیص نوری در فضای آزاد و کاربردهایی با قطر پرتوهای بزرگتر ایده آل می کند.

PD 1 میلی‌متری معمولاً دارای ظرفیت اتصال کمتری است که پهنای باند بالاتر و پاسخ گذرا سریع‌تر را ممکن می‌سازد.

انتخاب دستگاه باید بر اساس الزامات کلیدی برنامه، از جمله راندمان جمع آوری نور، تحمل هم ترازی و سرعت پاسخ باشد.

س: چه ولتاژ معکوس باید اعمال کنم؟

A: ولتاژ معکوس عملکرد توصیه شده معمولاً -5 ولت برای این فتودیود است. اعمال بایاس معکوس، ظرفیت اتصال را کاهش می دهد و ناحیه تخلیه را افزایش می دهد، که به بهبود پهنای باند و کارایی جمع آوری حامل کمک می کند.

با این حال، ولتاژ معکوس بیش از حد ممکن است جریان تاریک و نویز را افزایش دهد. برای اکثر برنامه ها، -5 ولت تعادل خوبی بین سرعت، حساسیت و عملکرد نویز ایجاد می کند.

س: آیا می توان از این فتودیود برای کاربردهای 1550 نانومتری استفاده کرد؟

ج: بله. BPD-2STO5B-FW دارای محدوده طیفی 900-1650 نانومتر است و پاسخگویی بالا (0.95A/W معمولی) را در 1550 نانومتر ارائه می‌کند، که آن را برای ارتباطات نوری باند C و کاربردهای حسی مناسب می‌سازد.

س: آیا بسته TO5 به صورت هرمتیک مهر و موم شده است؟

پاسخ: بله، بسته TO5 با یک قوطی فلزی و پنجره شیشه ای مسطح مهر و موم شده است و از رطوبت، گرد و غبار و آلاینده های محیطی محافظت می کند. این کارکرد طولانی مدت قابل اعتماد را در محیط های مختلف تضمین می کند.

س: حداقل مقدار سفارش (MOQ) چقدر است؟

پاسخ: MOQ برای پین 2 میلی متری InGaAs Photodiode TO5 1 واحد است. ما از مقادیر سفارش انعطاف پذیر پشتیبانی می کنیم. برای مدل‌های استاندارد، ما می‌توانیم از چند قطعه برای تحقیق و توسعه و نمونه‌سازی تا هزاران واحد برای تولید حجمی عرضه کنیم. برای اطلاع از قیمت مشخص در تعداد مورد نیاز خود با ما تماس بگیرید.

س: آیا از دیتاشیت پشتیبانی می کنید؟

پاسخ: بله، دیتاشیت کامل برای دانلود موجود است.

برگه داده-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

دیتاشیت

زمان سرب-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· واحدهای استاندارد (مدل های موجود): 3 تا 5 روز کاری

· تولید استاندارد: 10 تا 15 روز کاری

· سفارش‌های حجمی: لطفاً برای برنامه تولید تماس بگیرید

· ارسال بین المللی: ~ 5 روز کاری (DHL/UPS/FedEx express)

· خدمات تسریع شده: در صورت درخواست در دسترس است

یادداشت های عملیاتی و مدیریت-PIN 2mm InGaAs Photodiode TO5

· فتودیودها دستگاه‌های حساس به تخلیه الکترواستاتیک (ESD) هستند. رویه های حفاظتی مناسب ESD همیشه باید در حین جابجایی رعایت شود.

· برای جلوگیری از آلودگی و آسیب احتمالی ESD، از لمس مستقیم سرنخ‌ها و پنجره نوری با انگشتان خودداری کنید.

· دستگاه‌های استفاده نشده را در بسته‌بندی ایمن ESD یا سینی‌های رسانا نگهداری کنید تا خطر آسیب تخلیه الکترواستاتیک را به حداقل برسانید.

· از حداکثر رتبه بندی مطلق مشخص شده در برگه داده تجاوز نکنید

· اگر آلودگی رخ داد، با استفاده از ایزوپروپیل الکل (IPA) و یک سواب بدون پرز، پنجره نوری را با دقت تمیز کنید.

· قطبیت صحیح را در حین کار رعایت کنید. قطبیت بایاس نادرست ممکن است منجر به عملکرد نامناسب شود و ممکن است در شرایط فعلی رو به جلو بیش از حد باعث آسیب دائمی شود.

تگ های داغ: چین 2mm InGaAs PIN Photodiode TO5 سازنده، تامین کننده، کارخانه

ارسال استعلام

اطلاعات تماس



نشانی

اتاق 901، ساختمان A، پلازای عصر جدید رونگچائو، جاده اول لانکینگ، شماره 3، جامعه لوهو، ناحیه فرعی گوانهو، منطقه لونگهوا، شنژن، 518110، چین


تلفن

+86-13322933691


پست الکترونیک

sales06@boxoptronics.com

به دنبال قیمت رقابتی در سفارشات عمده هستید؟ برای لیزرهای DFB با کارایی بالا، SLEDها و دستگاه های فیبر PM یک استعلام به Box Optronics ارسال کنید. در عرض 24 ساعت یک پیشنهاد قیمت حرفه ای دریافت کنید.