دانش حرفه ای

لیزرهای نیمه هادی در سال 1962 اختراع شدند و در سال 1970 به عملکرد موج پیوسته با ساختار ناهمسان دوگانه دست یافتند و به منبع نور اصلی برای ارتباطات نوری تبدیل شدند. سیستم InGaAsP/InP از باند ارتباطی کم تلفات 1300/1550 نانومتر پشتیبانی می‌کند و MOCVD به فناوری ساخت اصلی تبدیل شده است.

ماژول منبع نور SLED پهنای باند 840 نانومتری 5 میلی‌وات 10 نانومتری Box Optronics طیف خالص‌تر، مصرف انرژی کمتر و هزینه کمتر را در مقایسه با مدل‌های باند پهن معمولی با قدرت بالا ارائه می‌دهد و آن را به محصولی با کارایی بالا و متناسب با سناریوهای کاربردی خاص تبدیل می‌کند.